Dioden
Hocheffizienter 650-V-SiC-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse
Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid-MOSFET DIF065SIC020 vor, der sich durch einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on)-Wert von 20mΩ auszeichnet. Er ist im neuen TO-247-4L-Gehäuse untergebracht, das einen vierten Anschluss enthält, auch Kelvin-Source ...
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Power MOSFET´s von DIOTEC
Die Diotec Semiconductor AG mit Sitz in Heitersheim Deutschland erweitert ihr Portfolio maßgeblich. Hat man sich in der Vergangenheit auf Dioden und deren Derivate beschränkt, gelingt nun der nächste Schritt.
Diotec bietet ab sofort auch Power MOSFETS an. Hier liegt der Focus vorerst ...